SS je definovaný ako:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
kde:
* $$V_{gs}$$ je napätie medzi bránou a zdrojom
* $$I_{ds}$$ je odtokový prúd
SS sa zvyčajne meria v milivoltoch za desaťročie. Nižšia hodnota SS znamená efektívnejší MOSFET, pretože vyžaduje menší výkyv napätia na zmenu odtokového prúdu.
SS je ovplyvnený niekoľkými faktormi, vrátane:
* Hrúbka oxidu brány
* Doping v oblasti zdroja a odtoku
* Dĺžka kanála
* Teplota
Hrúbka hradlového oxidu je najdôležitejším faktorom ovplyvňujúcim SS. Tenší hradlový oxid má za následok nižší SS. Avšak tenší hradlový oxid tiež spôsobuje, že MOSFET je náchylnejší na poruchu.
Doping v oblasti zdroja a odtoku ovplyvňuje aj SS. Vyššia koncentrácia dopingu má za následok nižšiu SS. Vyššia koncentrácia dopingu však zvyšuje aj parazitnú odolnosť MOSFETu, čo môže zhoršiť jeho výkon.
Dĺžka kanála je ďalším dôležitým faktorom ovplyvňujúcim SS. Kratšia dĺžka kanála má za následok nižšiu SS. Kratšia dĺžka kanála však tiež spôsobuje, že MOSFET je náchylnejší na efekty s krátkym kanálom, čo môže zhoršiť jeho výkon.
Teplota ovplyvňuje aj RZ. Vyššia teplota má za následok vyššiu SS. Je to preto, že pohyblivosť nosičov náboja v MOSFET klesá so zvyšujúcou sa teplotou, čo sťažuje MOSFET prepínanie medzi stavmi zapnutia a vypnutia.
SS je dôležitou hodnotou pre MOSFET, pretože naznačuje, ako efektívne môžu prepínať medzi stavmi zapnutia a vypnutia. Optimalizáciou konštrukcie MOSFET je možné dosiahnuť nízky SS, čo môže zlepšiť výkon MOSFET.