litografický proces bol vynájdený v roku 1798 nemecký dramatik Alois Senefelder . Senefelder zistil , že keď vytiahol na dosky vápenca s atramentom na báze oleja , potom navlhčený kameň , mohol re- atrament kameň s valčekom a vytvoriť viac kópií obrazu . Atrament z valca bude odradený mokré kameňa , a držať iba vtedy , ak bola plocha už nafarbený . To bolo viac univerzálna technológia tlače než v pohybe typ, ktorý sa zaoberal obrázky a texty skript založený na zle .
Litografia a fotografie
Senefelder zistil , že originálne kresba by mohla byť používa pre prenos obrazu do kameňa pre reprodukciu . V druhej polovici 19. storočia , fotografia bola prispôsobená tomuto účelu . Kameň bol pripravený s povlakom z fotosenzitívne chemikálií . Pôvodný obrázok bol vytlačený na priehľadnom povrchu , alebo masky , a potom použité na maskovanie časť povrchu , ako to bolo a quot ; vystavené " rovnakým spôsobom ako fotografické doske .
Fotolitografia a masky
Proces pomocou svetla vytvoriť obraz pre reprodukciu bola prenesená z tlače na výroba moderných polovodičov . V tomto používania, požadovaný obrázok , alebo masky , je ešte vytvorený na sklá s povlakom alebo podobné látky . Viditeľné svetlo , alebo iná forma žiarenia , sa potom používa na predstave , že vzor na doštičky kremíka potiahnutých fotosenzitívne chemikálií . Rovnako ako plavky čiary na opaľujúce , vzor je ponechané na povrchu . Povrch je potom leptané , striedavo odstránenie vzoru Spoločenstva alebo vystupujú vzor pri demontáži okolia .
Masky , fotolitografii a Mikroelektrome- prístroje ( MEMS )
To isté základné zásady boli využité na novšie technológie známej ako mikroelektromechanických zariadenie ( MEMS ) . MEMS sú nepatrné , alebo aj mikroskopických , zariadenie , ktoré napodobňujú funkciu väčších strojov , na stupnici niekedy tak malé , ako niekoľko molekúl . Aby sa dosiahla požadovaná úroveň presnosti , masky použité v MEMS zlievarňach sú zvyčajne vytvorené väčšie ako hotový výrobok , potom sa zameral prostredníctvom mechanizmu objektívu , aby sa dosiahli požadované špecifikácií. V týchto malých veľkostiach , ohniskovej vzdialenosti optiky použité a hĺbka kremíkového plátku sa stávajú významné konštrukčné úvahy .